-
Winbond Product Longevity Program
AutomotiveProduct Brief
/product/files/Winbond-Product-Longevity-Program.pdf
-
フラッシュメモリ - マルチチップパッケージ(MCP)
NAND Based MCP
マルチチップパッケージ(MCP)メモリ製品ファミリは、1.8V NANDフラッシュメモリデバイスと1.8V低電力SDRAMデバイスを1つのパッケージにまとめたもので、PCB面積軽減のために最もスペース効率の良いソリューションを提供します。このメリットは、モジュール用小型PCBやモバイルおよびポータブルアプリケーション用の特にスペースの制限された設計においてますます重要になります。 自社DRAMとSLC NANDフラッシュ技術 ウィンボンド・エレクトロニクスはDRAMおよびフラッシュの設計、製造、販売を行うメモリIC企業です。製品設計、研究開発、ウェハ製造からブランドマーケティングまで、世界中の...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/index.html?__locale=ja
-
ウィンボンド、メモリメーカーとして初めてISO/SAE 21434 自動車サイバーセキュリティマネジメントシステム認証を取得
News
台湾台中発—2022-08-31 半導体メモリのリーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、TÜV NORDからISO/SAE 21434 “Road vehicle – Cybersecurity engineering” 国際標準規格に準拠する自動車サイバーセキュリティマネジメントシステム(CSMS: Cyber Security Management System)認証を、メモリメーカーとして世界で初めて取得したことを発表しました。 ISO/SAE 21434は、車載システムをサイバー攻撃から守るための要求事項を規定し、自動車とその安全性を保護・維持するた...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond_memory_vendor_ISO_SAE_21434_certification_road_vehicles_cybersecurity_management_System.html?__locale=ja
-
ウィンボンド、W77QセキュアフラッシュでISO/SAE 21434認証を取得し、メモリICベンダーとして世界初となるマイルストーンを達成
News
(2023-08-08台湾台中市発)——半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は、同社のTrustME® W77Qセキュアフラッシュファミリーが車両のサイバーセキュリティ技術の国際標準規格であるISO/SAE 21434認証を取得したことを発表しました。本認証は車両OEMメーカーを筆頭とした自動車業界全体にとって重要なものであり、ウィンボンドはフラッシュベンダーとしては世界で初めてこの標準規格認証を取得したことになります。 「Road vehicles - cybersecurity engineering」と題するISO/SA...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/2023_0808_iso_sae_21434_winbond_w77q_certification_memory_vendor.html?__locale=ja
-
車載アプリケーション向けLPDDR4/4xソリューション
Technical Article
車載アプリケーションにおける半導体のトレンド 自動運転技術は進化を続けており、スマートカーの発展に貢献しています。第5世代モバイルネットワーク(5G)と人工知能(AI)の発展に後押しされ、ICT(情報通信技術)業界は今まさに自動運転車の実現という目標に向かって力を注いでいます。その目標を達成するため、当初、エンターテイメントプレイヤーやナビゲーションシステムがメインだったICTの車載アプリケーションは、深層学習や車と車外間通信(V2X)に移行しつつあります。また、あらゆるICT技術にとって半導体が重要な原動力となることは間違いありません。 先進運転支援システム(ADAS)は現在、車載用情報通信...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/automotive-solution-on-low-power-dram.html?__locale=ja
-
人工知能(AI)を実装する組込みシステムにシリアルNANDフラッシュを採用すべき理由
Technical Article
この記事では、人工知能(AI)を組込みシステムに実装する開発者がブートコードおよびアプリケーションコード格納用に、シリアル NORフラッシュからシリアルNANDフラッシュに移行することの利点に目を向け、NANDフラッシュの信頼性や寿命、パフォーマンスについて改めて検討すべき理由を説明します。 近年、組込みシステムに対してAIが急速に採用され始めています。アナリスト会社IDCによると、AIを搭載したエッジコンピューティングシステム用のプロセッサ市場が2023年まで年平均成長率65%で増加することが見込まれています。一方、組込みシステムにAIを実装するためには、より大きなサイズのコードを格納する不...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/why-embedded-developers-are-considering-serial-nand-in-ai.html?__locale=ja
-
モバイルDRAM - Low Power DDR SDRAM
LPDDR SDRAM
携帯電話は、仕事や遊びのためのコンパクトなプラットフォームとして、私たちの日常生活に欠かせないものとなっています。より高速なコンピューティングを必要とする新しいソフトウェアでは、最適化されたRAMが大きな違いを生み出します。Low Power DDR SDRAM は、数多くの IoT アプリケーションに最適化されたSynchronous DRAM であり、誕生から約20年経過した今でも高い需要があるロングセラー製品です。 Low Power DDR SDRAM とは? Low Power DDR SDRAMは、低消費電力で動作しながら、高速なデータ処理および伝送を実現します。Low Power...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/mobile-dram/low-power-ddr-sdram/index.html?__locale=ja
-
W25Q80NE
8M-bit 1.2V Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI 製品の特色 Dual/Quad Serial Peripheral Interface Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks 4,096 pages (256 bytes) Single/Dual/Quad Fast Read instructions 8/16/32/64byte wrap around for Fast Read Dual/Quad I/O instr...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/1.2v-serial-nor-flash/item/W25Q80NE.html?__locale=ja
-
W71NW10GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x8 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GC1DW.html?__locale=ja
-
W71NW10GC3DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x8 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GC3DW.html?__locale=ja
-
W71NW10GE3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x8 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GE3FW.html?__locale=ja
-
W71NW10GF3FW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : X8 – Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size:2,...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GF3FW.html?__locale=ja
-
W71NW11GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 Features W29N01GW NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x16 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page siz...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GC1DW.html?__locale=ja
-
W71NW11GE1EW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 Features W29N01GW NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x16 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page siz...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GE1EW.html?__locale=ja
-
W71NW11GF1EW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 Features W29N01GW NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x16 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size:...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GF1EW.html?__locale=ja
トップページ>
検索
検索
キーワードの捜索結果“ Longevity program ”, 132 項目の結果